H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix और MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBI | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| डेटा दर | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |