H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix ו MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-PBI | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| קצב נתונים | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 |
| השהיית CAS | Programmable | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |