H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBI بذریعہ SK hynix اور MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63AFR-PBI MT41K256M16RE-125:D
برانڈ SK hynix Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
ڈیٹا ریٹ DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 MT/s
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8, 4
CAS لیٹنسی Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C —
پیکیج 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96 (9x14 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Density — 4 Gb
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں