H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63AFR-PBI توسط SK hynix و MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63AFR-PBI | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| نرخ داده | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 |
| تأخیر CAS | Programmable | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| دمای کاری | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |