H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63AFR-PBI | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 |
| زمن الوصول CAS | Programmable | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |