H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16RE-125:D Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix at MT41K256M16RE-125:D sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63AFR-PBI | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Obsolete | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Rate ng Data | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 |
| Latensya ng CAS | Programmable | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |