H5TQ4G63EFR-RDC vs H5TQ4G63AFR-H9C तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TQ4G63EFR-RDC द्वारा SK hynix और H5TQ4G63AFR-H9C द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TQ4G63EFR-RDC H5TQ4G63EFR-RDC - 4Gb DDR3 SDRAM, 1.5V FBGA-96 | SK hynix

H5TQ4G63EFR-RDC - 4Gb DDR3 SDRAM, 1.5V FBGA-96 | SK hynix

H5TQ4G63EFR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TQ4G63EFR-RDC H5TQ4G63AFR-H9C
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $6.50
मेमोरी प्रकार DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit —
संगठन 512M x 8 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) —
Clock Rate 1.066 GHz class —
पैकेज FBGA-96 96-ball TFBGA
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C (RDC grade) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
इंटरफ़ेस DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) —
Data Mask Yes (DM function) —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS स्थिति Compliant —
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Density — 4 Gb
सप्लाई वोल्टेज — 1.5 V
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
RoHS — Compliant
हैलोजन फ्री — Yes
डेटा दर — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

डेटाशीट और संसाधन

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