IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLR70R200D2SXUMA1 द्वारा Infineon और IGLD60R070D1AUMA3 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLD60R070D1AUMA3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 15 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 114 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +150 °C | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) |
| RoHS | Compliant | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near zero (GaN technology) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 380 pF @ 400 V (per Utmel) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| MSL स्तर | — | 3 |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Operating Temperature (Tj) | — | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Series | — | CoolGaN™ |
| Polarity | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |