IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGLD60R070D1AUMA3 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLR70R200D2SXUMA1 IGLD60R070D1AUMA3
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 15 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 114 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad)
RoHS Compliant —
On-Resistance (RDS(on)) — 70 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near zero (GaN technology)
Input Capacitance (Ciss) — 380 pF @ 400 V (per Utmel)
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
MSL لیول — 3
ہیلوجن فری — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Operating Temperature (Tj) — [DATA_NEEDED: Tj max]
Series — CoolGaN™
Polarity — N-Channel
Packaging — Tape & Reel
Factory Pack Quantity — 3000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں