IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGLD60R070D1AUMA3 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IGLR70R200D2SXUMA1 IGLD60R070D1AUMA3
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 15 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 114 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +150 °C —
Paket PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad)
RoHS Compliant —
On-Resistance (RDS(on)) — 70 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near zero (GaN technology)
Input Capacitance (Ciss) — 380 pF @ 400 V (per Utmel)
Montaj Türü — Surface Mount
MSL Seviyesi — 3
Klorürsüz — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Operating Temperature (Tj) — [DATA_NEEDED: Tj max]
Series — CoolGaN™
Polarity — N-Channel
Packaging — Tape & Reel
Factory Pack Quantity — 3000

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin