IGT65R025D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGT65R025D2ATMA1 द्वारा Infineon और IGLR70R200D2SXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGT65R025D2ATMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN Gen2 (G5) | CoolGaN G5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 236 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, typical) | -40 °C to +150 °C |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Charge (Qoss) | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | Near-zero (GaN characteristic) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |