IPB110P06LMATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon और IPB039N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB110P06LMATMA1 | IPB039N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | 160 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (TJ) | -55C to +175C |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 214 W |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 3.9 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd typ] |
| पैकेज | — | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS / Halogen-Free Status | — | RoHS compliant, halogen-free |
| Series / Family | — | OptiMOS 3 |