IPB110P06LMATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB039N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB110P06LMATMA1 | IPB039N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | 160 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | -55C to +175C |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 214 W |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 3.9 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd typ] |
| Paket | — | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| RoHS / Halogen-Free Status | — | RoHS compliant, halogen-free |
| Series / Family | — | OptiMOS 3 |