IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon और IPB45N06S4L08ATMA3 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 - 60V 45A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB110P06LMATMA1 | IPB45N06S4L08ATMA3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 45 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.9 mOhm |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 71 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V) |
| पैकेज | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| MSL Moisture Sensitivity | — | MSL1 (260C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS Compliance | — | Yes (Green Product) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: reverse recovery charge] |
| Thermal Resistance RthJC max | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] |