IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB110P06LMATMA1 מאת Infineon ו IPB45N06S4L08ATMA3 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 - 60V 45A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPB110P06LMATMA1 | IPB45N06S4L08ATMA3 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 45 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.9 mOhm |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 71 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V) |
| מארז | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| MSL Moisture Sensitivity | — | MSL1 (260C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS Compliance | — | Yes (Green Product) |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: reverse recovery charge] |
| Thermal Resistance RthJC max | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] |