IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB45N06S4L08ATMA3 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB110P06LMATMA1 IPB45N06S4L08ATMA3
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (TJ) —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 45 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Power Dissipation (TC=25C) — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V)
Paket — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Klorürsüz — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: reverse recovery charge]
Thermal Resistance RthJC max — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin