IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB120P04P4L03ATMA2 द्वारा Infineon और IPB200N25N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2+tab) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |