IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından Infineon ve IPB200N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB120P04P4L03ATMA2 IPB200N25N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2+tab)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant (per Infineon product page) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Klorürsüz — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin