IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB200N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2+tab) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| ہیلوجن فری | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |