IPD031N06L3GATMA1 vs IPT007N06NATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD031N06L3GATMA1 द्वारा Infineon और IPT007N06NATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD031N06L3GATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C (TJ) |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |