IPD031N06L3GATMA1 vs IPT007N06NATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD031N06L3GATMA1 توسط Infineon و IPT007N06NATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD031N06L3GATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C (TJ) |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| سطح MSL | 1 (Unlimited) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |