IPD70N10S312ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD70N10S312ATMA2 द्वारा Infineon और IPD35N10S3L26ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD70N10S312ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 35 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free | — | Yes |