IPD70N10S312ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD70N10S312ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD70N10S312ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 35 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free | — | Yes |