IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R2K4P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD80R1K4P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R2K4P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | IPD80R2K4P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction | N-Channel Superjunction |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 2.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 22 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2000 mOhm | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Pins | 3 (2 + Tab) | — |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| पावर डिसिपेशन (Ptot) | — | 32 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |