IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R2K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD80R2K4P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Part Number | IPD80R2K4P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction | N-Channel Superjunction |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 2.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 22 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2000 mOhm | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pins | 3 (2 + Tab) | — |
| Configuration | Single | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | — | 32 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |