IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N06S404ATMA2 द्वारा Infineon और IPD30N06S215ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD90N06S404ATMA2 | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | — |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | — |
| MSL स्तर | MSL1 | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS Power MOSFET |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free / RoHS | — | Green package (lead free), RoHS compliant |
| Gate Threshold Type | — | Logic-level compatible |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |