IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N06S404ATMA2 بواسطة Infineon و IPD30N06S215ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90N06S404ATMA2 | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | — |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| مستوى MSL | MSL1 | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS Power MOSFET |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel Enhancement Mode |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free / RoHS | — | Green package (lead free), RoHS compliant |
| Gate Threshold Type | — | Logic-level compatible |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |