IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90N06S404ATMA2 tarafından Infineon ve IPD30N06S215ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD90N06S404ATMA2 | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | — |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS Power MOSFET |
| Transistor Türü | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free / RoHS | — | Green package (lead free), RoHS compliant |
| Gate Threshold Type | — | Logic-level compatible |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |