IPG16N10S4L61AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG16N10S4L61AATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG16N10S4L61AATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | — |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +175C (TJ) | — |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| पैकेज | — | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |