IPG16N10S4L61AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S4L61AATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S4L61AATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Paket / Kas PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C (TJ) —
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Paket — TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin