IPG20N04S4L07ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S4L07ATMA1 द्वारा Infineon और IPD50N04S408ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch MOSFET 7.2mΩ | Infineon

IPG20N04S4L07ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch MOSFET 7.2mΩ | Infineon

IPG20N04S4L07ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPG20N04S4L07ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 —
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C —
पैकेज PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) PG-TO252-3-313 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
MSL स्तर MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100 % Avalanche tested
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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