IPG20N04S4L07ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPG20N04S4L07ATMA1 bằng Infineon và IPD50N04S408ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPG20N04S4L07ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch MOSFET 7.2mΩ | Infineon
IPG20N04S4L07ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon
IPD50N04S408ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPG20N04S4L07ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ T2 | — |
| FET Type | 2x N-Channel (Dual, Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 7.2 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 65 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (4.5V VGS fully enhanced) | — |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | 100 % Avalanche tested |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free terminations | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |