IPG20N04S4L07ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L07ATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N04S408ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N04S4L07ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 —
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100 % Avalanche tested
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin