IPG20N04S4L07ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L07ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD50N04S408ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch MOSFET 7.2mΩ | Infineon

IPG20N04S4L07ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch MOSFET 7.2mΩ | Infineon

IPG20N04S4L07ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L07ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 —
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) PG-TO252-3-313 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100 % Avalanche tested
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں