IPP600N25N3GXKSA1 vs STW45NM50 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP600N25N3GXKSA1 द्वारा Infineon और STW45NM50 द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW45NM50 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP600N25N3GXKSA1 | STW45NM50 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $9.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 25 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 60 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| पैकेज / केस | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | [DATA_NEEDED: trr typical value] | — |
| Lead Free Status | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 500 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.09 ohm |
| Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 1.2 J |
| Power Dissipation (PD) | — | 450 W |
| पैकेज | — | TO-247 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |