IPP600N25N3GXKSA1 vs STW45NM50 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP600N25N3GXKSA1 tarafından Infineon ve STW45NM50 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP600N25N3GXKSA1 STW45NM50
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket / Kas TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 500 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Paket — TO-247
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin