IPP60R190P6XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP60R190P6XKSA1 द्वारा Infineon और IPA60R190C6XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP60R190P6XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | CoolMOS C6 |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| पैकेज | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |