IPP60R190P6XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R190P6XKSA1 tarafından Infineon ve IPA60R190C6XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP60R190P6XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | CoolMOS C6 |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Paket | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |