IPP60R190P6XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R190P6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R190P6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P6 CoolMOS C6
Technology Superjunction (SJ) MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
On-Resistance RDS(on) max at 25C 190 mOhm —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 151 W —
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول Not applicable (through-hole) —
Product Variant XKSA1 (industrial grade, tube pack) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں