IPP60R190P6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP60R190P6XKSA1 द्वारा Infineon और IPB60R190C6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP60R190P6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| पैकेज | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | Not applicable (through-hole) | 1 |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |