IPP60R190P6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R190P6XKSA1 tarafından Infineon ve IPB60R190C6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP60R190P6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Paket | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | Not applicable (through-hole) | 1 |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |