IPP60R190P6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R190P6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R190C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP60R190P6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| پیکیج | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | Not applicable (through-hole) | 1 |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |