IPT012N08N5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT012N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPT067N20NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT012N08N5ATMA1 | IPT067N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT012N08N5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench-gate OptiMOS 6 silicon |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.2 mOhm | — |
| Total Gate Charge QG | 208 nC | — |
| Gate-to-Drain Charge QGD | 178 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 375 W | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (TJ max) | -55C to +150C (junction) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 15.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 137 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Configuration | — | Single N-channel |