IPT012N08N5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT012N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPT067N20NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT012N08N5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT012N08N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.2 mOhm —
Total Gate Charge QG 208 nC —
Gate-to-Drain Charge QGD 178 nC —
Power Dissipation (PD, TC) 375 W —
Paket PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (TJ max) -55C to +150C (junction)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) —
Product Family — OptiMOS 6
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin