IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2104SPBF द्वारा Infineon और 2ED2103S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IR2104SPBF | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Half-bridge gate driver | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | 2 (high-side + low-side) |
| Configuration | High and Low Side | Non-Inverting |
| Input Type | Logic (non-inverting) | — |
| Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage | 600 V | — |
| Gate Drive Supply Range (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Output Source Current | 130 mA typical | — |
| Output Sink Current | 270 mA typical | — |
| Propagation Delay | 680 ns typical | — |
| राइज़ टाइम | 160 ns typical | — |
| फॉल टाइम | 60 ns typical | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL | 3.3 V / 5 V |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC UVLO) | — |
| Deadtime | Internally set | — |
| Cross-Conduction Prevention | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| पैकेज | 8-pin SOIC | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| RoHS स्थिति | Compliant (PBF suffix indicates lead-free) | Compliant |
| Technology | — | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |