IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2104SPBF tarafından Infineon ve 2ED2103S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IR2104SPBF | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Fonksiyon | Half-bridge gate driver | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | 2 (high-side + low-side) |
| Configuration | High and Low Side | Non-Inverting |
| Input Type | Logic (non-inverting) | — |
| Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage | 600 V | — |
| Gate Drive Supply Range (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Output Source Current | 130 mA typical | — |
| Output Sink Current | 270 mA typical | — |
| Propagation Delay | 680 ns typical | — |
| Artış Süresi | 160 ns typical | — |
| Düşüş Süresi | 60 ns typical | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL | 3.3 V / 5 V |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC UVLO) | — |
| Deadtime | Internally set | — |
| Cross-Conduction Prevention | Yes | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| Paket | 8-pin SOIC | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix indicates lead-free) | Compliant |
| Technology | — | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |