IRF1010ESTRLPBF vs FQP50N06 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1010ESTRLPBF द्वारा Infineon और FQP50N06 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1010ESTRLPBF | FQP50N06 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET planar | Planar Stripe DMOS |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 84 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 200 W | — |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage | 10 V (standard level) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | TO-220-3 (through-hole) |
| Qualification | JEDEC standard qualified | — |
| Structure | Planar cell (wide SOA) | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche energy tested | — |
| Sourcing | Multi-vendor, broad distribution availability | — |
| Pb-Free / RoHS | PBF (Pb-free) suffix | — |
| Manufacturer | — | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) |
| Part Number | — | FQP50N06 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | — | 120 W |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | — | 0.022 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (junction) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |