IRF1010ESTRLPBF vs FQP50N06 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF1010ESTRLPBF מאת Infineon ו FQP50N06 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF1010ESTRLPBF | FQP50N06 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | onsemi |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET planar | Planar Stripe DMOS |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 84 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 200 W | — |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage | 10 V (standard level) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| מארז | D2PAK (TO-263) | TO-220-3 (through-hole) |
| Qualification | JEDEC standard qualified | — |
| Structure | Planar cell (wide SOA) | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche energy tested | — |
| Sourcing | Multi-vendor, broad distribution availability | — |
| Pb-Free / RoHS | PBF (Pb-free) suffix | — |
| Manufacturer | — | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) |
| Part Number | — | FQP50N06 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | — | 120 W |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | — | 0.022 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |