IRF1010ESTRLPBF vs FQP50N06 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010ESTRLPBF بذریعہ Infineon اور FQP50N06 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF1010ESTRLPBF | FQP50N06 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | onsemi |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET planar | Planar Stripe DMOS |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 84 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 200 W | — |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage | 10 V (standard level) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole |
| پیکیج | D2PAK (TO-263) | TO-220-3 (through-hole) |
| Qualification | JEDEC standard qualified | — |
| Structure | Planar cell (wide SOA) | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche energy tested | — |
| Sourcing | Multi-vendor, broad distribution availability | — |
| Pb-Free / RoHS | PBF (Pb-free) suffix | — |
| Manufacturer | — | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) |
| Part Number | — | FQP50N06 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | — | 120 W |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | — | 0.022 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (junction) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |