IRF1010ESTRLPBF vs FQP50N06 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1010ESTRLPBF tarafından Infineon ve FQP50N06 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1010ESTRLPBF FQP50N06
Marka Infineon onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar Planar Stripe DMOS
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Paket D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Channel Mode — Enhancement
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin